Matériaux d'évaporation de nitrure d'aluminium

Matériaux d'évaporation de nitrure d'aluminium

Goodwill Metal Tech fabrique des matériaux d'évaporation en nitrure d'aluminium. Notre produit est toujours bon en qualité et en pureté. Nous fabriquons également des cibles dopées à la demande du client.

Produit de détail

Matériaux d'évaporation de nitrure d'aluminium

Nitrure d'aluminium (AIN)

Cibles de pulvérisation de nitrure d'aluminium

Pureté --- 99%, 99,9%

Forme --- Disques, Plaque, Étape (Dia ≤480mm, Épaisseur ≥1mm)

Rectangle, feuille, étape (longueur ≤400mm, largeur ≤200mm, épaisseur ≥1mm)

Tube (Diamètre <300mm, épaisseur=""> 2mm)

Application - capteurs d'ondes acoustiques de surface (SAW), filtre RF, résonateur acoustique en masse de film ...

Substrat en céramique de nitrure d'aluminium (AlN Ceramic)

Pureté - 99,9%

Forme - disques, rectangle, étape, plaques, feuilles, tiges, sur mesure

Dimension - Diamètre (≤480mm), Longueur (≤400mm), Largeur (≤300mm), Épaisseur (≥1mm), Sur mesure

Application -

Poudre de nitrure d'aluminium - AlN

Pureté - 99,9%

Forme - poudre

Dimension - base de taille selon vos besoins

Application - matière première ..

Poudre nanométrique de nitrure d'aluminium

Pureté --- 99% Teneur en oxygène --- <0.8wt% dissociative="" si%="">

Couleur --- blanc cassé Phase cristallographique --- Hexagonal

Taille moyenne de particule (D50) --- <>

Surface spécifique ---> 78m2 / g

Densité apparente --- 0.12g / cm3

Méthode de fabrication --- Plasma arc vapeur

Application --- Nano Nitrure d'aluminium primaire utilisé dans le circuit intégré soustraire, dispositifs électroniques, dispositifs optiques, dispositifs d'émission thermique, creusets utilisés à des températures élevées, préparation de composites de matrices métalliques et matrices polymères, en particulier, dans les reliures à haute température et électronique matériaux d'encapsulation, Nano-ALN sera sensiblement appliquée à l'avenir.

Magasin --- Il devrait stocker les pièces fraîches et sèches sans lumière solaire. Le produit ne peut pas être en grande compression. Dans le processus d'utilisation des poudres de Nano-ALN, afin d'éviter l'agrégation de la poudre causée par l'humidité absorbante et affectant ainsi les effets de l'application, la poudre de Nano-ALN ne peut pas être exposée à l'air.

Préférence de nitrure d'aluminium

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Les dispositifs en nitrure d'aluminium ont une dureté élevée, un module élevé, des propriétés diélectriques très élevées, une bonne propriété de résistance à l'oxydation et une faible dilatation thermique, qui est proche de celle du silicium. Lorsque les puissances AlN sont utilisées pour faire des composites sa compatibilité d'interface est bonne. Il peut améliorer les propriétés mécaniques, la conductance thermique et les propriétés diélectriques des composites.

Le nitrure d'aluminium (AIN) est un nitrure d'aluminium. Sa phase wurtzite (w-AlN) est un matériau semiconducteur à large bande interdite (6,01-6,05 eV à température ambiante), ce qui lui confère une application potentielle pour l'optoélectronique ultraviolette profonde.
AlN a été synthétisé en 1877, mais ce n'est qu'au milieu des années 1980 que son potentiel d'application en microélectronique a été réalisé grâce à sa conductivité thermique relativement élevée pour une céramique électriquement isolante (70-210 W · m-1 · K- 1 pour le matériau polycristallin, et aussi élevé que 285 W · m-1 · K-1 pour les monocristaux).

Le nitrure d'aluminium (AIN) est un matériau céramique unique qui combine une conductivité thermique élevée et une résistivité électrique élevée. Seules quelques céramiques possèdent une conductivité thermique élevée: l'oxyde de béryllium (BeO) et le nitrure de bore cubique (c-BN) sont pratiquement les seuls autres exemples. Cependant, l'utilisation de BeO est limitée en raison de sa toxicité, et le c-BN est très difficile à produire.
La "conductivité thermique" est la capacité d'un matériau à transporter de la chaleur lorsqu'il est soumis à un gradient de température. Dans les diélectriques comme AlN, la chaleur est transmise par des vibrations de réseau (également appelées "phonons"). Les matériaux de structure simple, de liaison covalente et de faible masse atomique possèdent généralement une conductivité thermique élevée.
La conductivité thermique réelle d'un matériau est affectée par des facteurs qui gênent la propagation des phonons. La température, les impuretés, la taille et la distribution des pores, la taille des grains, l'homogénéité de la composition et l'orientation affectent toutes les vibrations du réseau, et donc la conductivité thermique.
La conductivité thermique théorique d'AlN est d'environ 280 Wm-1K-1. La conductivité thermique réelle dépend des conditions de traitement et de la pureté de la matière première. La présence d'impuretés d'oxygène dans le réseau est un détriment majeur; Comme l'oxygène déplace l'azote dans le réseau, il crée des lacunes qui interrompent la propagation des phonons et dispersent les phonons, réduisant ainsi la conductivité thermique.

Stabilité et propriétés chimiques
Le nitrure d'aluminium est stable à haute température dans des atmosphères inertes et fond à 2800 ° C. Sous vide, l'AIN se décompose à ~ 1800 ° C. Dans l'air, l'oxydation de surface se produit au-dessus de 700 ° C, et même à température ambiante, des couches d'oxyde de surface de 5-10 nm ont été détectées. Cette couche d'oxyde protège le matériau jusqu'à 1370 ° C. Au-dessus de cette température, il se produit une oxydation en masse. Le nitrure d'aluminium est stable dans les atmosphères d'hydrogène et de dioxyde de carbone jusqu'à 980 ° C.

Le matériau se dissout lentement dans les acides minéraux à travers l'attaque des joints de grains, et dans les alcalis forts en attaquant les grains de nitrure d'aluminium. Le matériau s'hydrolyse lentement dans l'eau. Le nitrure d'aluminium résiste aux attaques de la plupart des sels fondus, y compris les chlorures et la cryolite.

Fabrication
AlN est synthétisé par la réduction carbothermique de l'oxyde d'aluminium en présence d'azote gazeux ou d'ammoniac ou par nitruration directe de l'aluminium. L'utilisation d'adjuvants de frittage, tels que Y2O3 ou CaO, et le pressage à chaud sont nécessaires pour produire un matériau de qualité technique dense.

Applications
Le nitrure d'aluminium cristallin en couche mince à croissance épitaxiale est utilisé pour les capteurs d'ondes acoustiques de surface (SAW) déposés sur des tranches de silicium en raison des propriétés piézoélectriques d'AlN. Une application est un filtre RF qui est largement utilisé dans les téléphones mobiles, ce qu'on appelle un résonateur acoustique en couche mince (FBAR). Ceci est un dispositif MEMS qui utilise du nitrure d'aluminium pris en sandwich entre deux couches métalliques.

Le nitrure d'aluminium est également utilisé pour fabriquer des transducteurs ultrasonores micro-usinés piézoélectriques, qui émettent et reçoivent des ultrasons et qui peuvent être utilisés pour la télémétrie dans l'air sur des distances allant jusqu'à un mètre.

Des méthodes de métallisation sont disponibles pour permettre à AlN d'être utilisé dans des applications électroniques similaires à celles de l'alumine et de l'oxyde de béryllium. Les nanotubes d'AlN en tant que nanotubes quasi-unidimensionnels inorganiques, qui sont isoélectroniques avec des nanotubes de carbone, ont été suggérés comme capteurs chimiques pour les gaz toxiques.

Actuellement, il existe de nombreuses recherches sur le développement de diodes électroluminescentes pour fonctionner dans l'ultraviolet en utilisant des semi-conducteurs à base de nitrure de gallium et, en utilisant le nitrure d'aluminium et de gallium, des longueurs d'onde aussi courtes que 250 nm. En mai 2006, une émission de LED AlN inefficace à 210 nm a été signalée.

Il existe également de multiples efforts de recherche dans l'industrie et les universités pour utiliser le nitrure d'aluminium dans les applications MEMS piézoélectriques. Ceux-ci incluent des résonateurs, des gyroscopes et des microphones.

Parmi les applications d'AlN, on trouve l'optoélectronique, les couches diélectriques dans des supports de stockage optiques, les substrats électroniques, les supports de puce où une conductivité thermique élevée est essentielle, les applications militaires comme creuset pour la production de cristaux d'arséniure de gallium, d'acier et de semi-conducteurs.

Informations de base

Noms: Nitrure d'aluminium

Formule chimique: AlN
Numéro de CAS: 24304-00-5
ChEBI CHEBI: 50884
ChemSpider: 81668
Numéro CE: 246-140-8
PubChem: 90455
Numéro RTECS: BD1055000
Masse molaire: 40,9882 g / mol
Apparence: solide blanc à jaune pâle
Densité: 3.260 g / cm3
Point de fusion: 2 200 ° C (2 490 K)
Point d'ébullition: 2 517 ° C (4 563 ° F; 2 790 K)

Solubilité dans l'eau: réagit (poudre), insoluble (monocristallin)
Solubilité: réagit dans l'éthanol
Écart de bande: 6.015 eV (direct)
Mobilité électronique ~ 300 cm2 / (V · s)
Conductivité thermique: 285 W / (m · K)

Indice de réfraction (nd): 1.9-2.2
Structure cristalline: Wurtzite
Groupe spatial: C6v4-P63mc
Géométrie de coordination: Tetrahedral
Capacité calorifique spécifique (C): 30,1 J / mol K
Entropie molaire Std (So298): 20,2 J / mol K

Std enthalpie de formation (ΔfHo298): 318 kJ / mol
Energie libre de Gibbs (ΔfG˚): 287,4 kJ / mol


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